Как утверждает компания Nantero, в ее лаборатории в Бостоне (штат Массачусетс) создано первое нанотехнологическое запоминающее устройство (NRAM) емкостью 10 Гбайт.

Элемент памяти изготовлен посредством самой стандартной технологии производства микросхем из кремниевой пластины с вкраплениями углеродных нанотрубок, диаметр которых составляет миллиардную часть метра. Компания утверждает, что данная технология позволяет сочетать преимущества быстродействия и стоимости динамической памяти с энергонезависимостью флэш-памяти, что делает ее хорошим кандидатом на роль долгожданного универсального ЗУ, способного заменить все прочие типы памяти.

В случае коммерческого выпуска по приемлемой цене эти элементы могут заменить DRAM, флэш-память и жесткие диски в самом широком спектре цифровых устройств, включая ПК, телефоны и плееры МР3.

Принцип действия NRAM заключается в балансировании нанотрубок на гребнях кремния. При разных электрических зарядах трубки могут механически качаться, принимая одно из двух физических положений. Благодаря микроскопическим размерам трубок — менее тысячи атомов — движение происходит чрезвычайно быстро и для него требуется очень мало энергии. А так как проводимость трубок в тысячи раз выше, чем у меди, их положение очень легко определить, считывая таким образом данные.

В каждом из устойчивых положений трубки остаются до поступления следующего сигнала: имея предел прочности на разрыв, в двадцать раз превышающий прочность стали, они могут выдержать около триллиона циклов записи.

“Мы в восторге от этой разработки, — говорится в заявлении соучредителя и генерального директора компании Грегори Шмергеля. — Когда мы объявили о намерении создать универсальный элемент памяти с применением углеродных нанотрубок, большинство наблюдателей больше всего опасалось того, что углеродные трубки растут беспорядочно и их чрезвычайно трудно выровнять. Создание этой огромной решетки подвешенных нанотрубок с использованием стандартного процесса изготовления полупроводников значительно приблизило нас к конечной цели — массовому производству микросхем NRAM”.

Проблему выравнивания компания решила путем специальной обработки пластины после нанесения трубок, применения литографии и травления для удаления опорных компонентов и введения высокой избыточности.

Одним из предварительных условий разработки, по словам Шмергеля, был отказ от использования нестандартного оборудования. Компания планирует лицензировать технологию другим производителям микросхем и рассчитывает, что ее элементы памяти создадут рынок емкостью 100 млрд $.

Источник: Nanotech breakthrough jogs memory (13.06.2003)

MIT и Армия открыли центр нанотехнологий

Нанотехнологический прорыв: атомы на поводке